웨이퍼에 반도체 회로 패턴을 만들어 주기 위해 화학 공법이나 부식성 가스를 이용하여 필요없는 부분만을 선택적으로 없애는 공정
Etch 종류 : dry etch(건식 식각) / wet etch(습식 식각)
Wet etch
다양한 반등성 화학 용액을 이용하여 물질은 선택적으로 식각 및 제거
Dry etch
반응성 기체나 가스, 전기적으로 분해된 가스를 이용하여 물질은 선택적으로 식각 및 제거
반응성 가스를 주입하여 적당한 활성 및 반응에너지로 만든 입자를 증착시켜 웨이퍼 표면에 절연막이나 전도성막을 형성하는 공정
CVD 종류 : LPCVD (Low Pressure CVD), PECVD (Plasma Enhanced CVD)가 대표적
PECVD
챔버내에 증착을 돕는 플라즈마(SiH4)를 형성시켜 반응을 원활하게 한 뒤 박막을 형성
LPCVD
진공상태에서 증착 시켜 박막을 형성
고 에너지로 충전된 원자(Dopant)를 웨이퍼 표면에 선택적으로 주입하기 위한 공정, 정확한 위치와 깊이에 정확한 이온의 양을 주입
제품의 상태 및 기능에 대한 분석 진행
(필요시) 세라믹 플레이트와 BASE 재조립
세라믹 플레이트 표면 패턴 가공
출하 전 표면, 기능 및 He leak 검사 진행
포장 및 출하
.
Flatness, bonding layer, Embossing 및 전기적 기능을 회복시켜 A급과 동일한 Life time 및 기능을 갖도록 하는 것을 추구함.
Spec
•Flatness spec : max 20um
•Roughness spec : max 0.3um
•Embossing height spec : 10±3um
리페어 전
Fail mode
• Side embossing etching : 4um
• Roughness : max 0.4um
• Flatness NG : 25um
• Embossing & Rib damage
리페어 후
Repair mode
• Embossing height : 10um
• Roughness : 0.1um
• Flatness : 5um
플라즈마에 의해 손상된 히터 접합면을 가공하여 Original 제품과 유사한 상태로 Repair